МОСКВА. Компания "Крокус Наноэлектроника" - совместное предприятие "Роснано" и Crocus Technology - запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров. К концу 2014г. производительность составит 500 пластин в неделю.
Общий объем инвестиций в проект превышает 200 млн евро, включая софинансирование "Роснано" в размере 100 млн евро. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014г. превысит 8 млрд долл.
Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — оперативной (DRAM) и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.
Успех дочернего предприятия Роснано и явная востребованность на рынке выпускаемого продукта особенно уместны на фоне продолжающейся критики иных инициатив российского государства в сфере высоких технологий и науки - Реформы РАН и Сколкова, вокруг которого продолжается коррупционный скандал. Учитывая, что действия самой Роснано в последние годы не были особенно успешны (запуск производства в сфере фотовольтоники не принёс денег так как китайские конкуренты резко провалили рыночную стоимость подобной продукции), вновь запущенный проект мог бы стать на ближайшее время визитной карточной корпорации и PR-оправданием её существования.